山西太阳能路灯厂家/自有资质项目招投标配合

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三级道路建设资质，CCC质量认证，CE质量认证，9001质量认证等等..

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山西太阳能路灯通过太阳能光伏组件利用光伏应将我们的太阳能转换成电能，经由我们江苏斯美尔光电科技自主生产的控制器，进行充放电控制，存储电能在我们的胶体蓄电池中，当夜晚的时候，光照强度低于10流明左右，太阳能电池板的开路电压降低到5V左右，我们生产的控制器检测到这么个电压值，控制蓄电池对我们的LED灯头放电，这时候我们的山西太阳能路灯就照亮了您行走的道路了。

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半导丨本巨喈电子器件太阳能电池可用廉价的非晶_材料和工艺制作，这激发了科研

人员、研究单位纷纷投人到这t领域的研究中.也引起r企业界的重视和许多国家的关 注.从i〖i丨推动ni:品硅太阳能电池的大发展。非晶硅太阳能电池很快走出了实验室，走进了中 试线和较大现模的生产线从技^上fi . 4_:品硅太阳能电池这一阶段的进步主要表现在以下 几个方而.

从简—中.的 n () I) 1 M (a-Si). A1 发展成为 Sn〇v ( F)/P-a-SiC/I-a-Si/N-a-Si/Al 这样

比较复杂实用的结构sn()透明导电膜比rr?更稳定，成本更低，易于实现织构，从而增加太 阳能电池刈光的吸收，采用《: 11作'A/ p型的窗U层，带隙更宽，减少了 P层的光吸收损

失，更好地利川人射的太卩n光能。

对a Si层和两个电极谢层分别实现了激光划线分割，实现了集成化组件的生产。

出现r中.宰成批生产和多室的流水生产非晶硅薄膜的两种方式。在生产上还出现了 以透明肄电破璃为衬底的组件生产和以柔性材料（如不锈钢）为衬底的两种电池组件的生产方 式。世界丨：出现丫丨午多以a Si &阳能电池为主要产品的企业或企业分支。例如，美国的 CHR()NAR、S()LAREX、EL'D 等? 口 本有二.洋、富士、夏普等。CHRONAR 公司是 a-Si 太阳 能电池产业汗发的急.不仅ft己奋生产线，还向其他国家输出了 6条MW级生产线。美、 曰各公W]还丨|j ft己的产品分别安装r室外发电的试验电站，大的有l〇〇kW容量。在80年 代中期.世界上太阳能电池的总销售tt中非晶硅占有40 %，出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三足 鼎立之势。 

7. 2.2 a-Si太阳能电池的优势

技术向生产力如此高速的转化，说明非晶硅太阳能电池具有特的优势。这些优势主要 表现在以下方面。

材料和制造工艺成本低。这是因为衬底材料?如玻璃、不锈钢、塑料等.价格低廉。硅 薄膜厚度不到ljum.昂贵的纯硅材料用童很少。制作丁_艺为低温1：艺（100?300°C)，生产的 耗电量小，能量回收时间短。

易于形成大规模生产能力。这是因为核心工艺适合制作特大面积无结构缺陷的a-Si合 金薄膜；只需改变气相成分以及气体流童便可实PN结以及相应的叠层结构；生产可全流程自 动化。

品种多，用途广。薄膜的a-Si太阳能电池易于实现集成化.器件功率、输出电压、输出 电流都可自由设计制造，可以较方便地制作出适合不同需求的多品种产品。由于光吸收系数 高，暗电导很低.适合制作室内用的微低功耗电源.加手表电池、计算器电池等。由于a-S!膜 的硅网结构力学性能结实，适合在柔性的衬底上制作轻型的太阳能电池灵活多样的制造方 法，可以制造建筑集成的电池，适合户用屋顶电站的安装。

7. 2. 3发展势头受挫

非晶硅太阳能电池尽管有如上诸多的优点.但缺点也是很明M的主要是初始光电转换 效率较低，稳定性较差。初期的太阳能电池产品初始效率为5 %?6 11 标准太阳光强照射一 年后.稳定化效率为3%?4%，在弱光下应用不成问题.但在室外强光下?作为功率发电使用 时，稳定性成了比较严重的问题。功率发电的试验电站件能衰退严.寿命较短.严重影响消 费者的信心，造成市场开拓的困难，有些生产线停产公司停产公司倒闭?如C H R( )N AR公司。

7.2.4封装的不稳定问题

阶段a-Si太阳能电池产品性能衰退问题实际上有两个方而.即封装问题和构成电池 的a-Si材料不稳定性问题。封装问题主要是封装材料老化和封装存在缺陷?环境中的有害气 氛对电池的电极材料和电极接触造成损害，使电池性能大幅度下降甚至于失效。解决这一问 题主要靠改进封装技术.在采取了玻璃层压封装（这是指对玻璃衬胺的电池）和多保护层的热 压封装（对不锈钢衬底电池）后，基本上解决了封装问题。H前太阳能电池使用寿命已达到10 年以上。

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a-Si薄膜在强光（通常是一个标准太阳的光强.100m W /)下照射数小时.光电导逐渐 下降?光照后暗电导可下降几个数量级汴保持相对稳定；忙照的样品在160°C下退火，电导可 恢复原值，这就是有名的斯太不拉一路昂斯基效应，简称S W F。暗电导的阿兰纽斯特性测量 表明，光照时电导激活能增加，这意味着费米能级从带边移向带隙中央，说明了光照在带隙中  

部产生了亚稳的能态或者说产生了亚稳缺陷中心。这种亚稳缺陷可用退火消除。根据半导体 载流子产生复合理论.禁带中央的亚稳中心的复合几率大，具有减少光生载流子寿命的作 用；同时它又作为载流子的陷阱，引起空间电荷量的增加，降低I层内的电场强度，使光生载流 子的自由漂移距离缩短，减少载流子收集效率。这就使太阳能电池的性能下降。

研究光致亚稳态的机理，寻找克服光致衰退的办法，不仅对完善发展非晶硅材料的基础理 论是重要的.而旦对改善太阳能电池的性能也很紧迫。从对太阳能电池产品的使用来说，还要 解决加速光衰、标定产品稳定性能的问题。

世界上凡从事a-Si研究和开发应用的实验室，都在研究光致衰退的问题，开展了各种实 验观察.提出了种种的理论模型。但是，至今还没有一个令人信服的统一的模型可以解释各种 主要的实验事实。比较一致的看法是，光致衰退与a-3材料中的氢运动有关。比较重要的模 型有①光生载流子无辐射复合引起弱的Si-Si键的断裂，产生悬挂键，附近的氢通过扩散补偿 其中的一个悬键，同时增加一个亚稳的悬键。②悬键的荷电对T与光生载流子相互作用，变 成两个乃态.乃态是一个单电子占据的悬键态，它的出现使费米能级向下面的带隙中央移动 (通常非掺杂的丨层呈弱的N型，费米能级在带隙中距导带边稍近）。这个模型假定，悬键被 双电子占据时?相关能为负值。负相关能可能存在于氢富集的微空洞的表面。③布朗兹 近提出的新模型认为，光生电子相互碰撞产生两个可动的氢原子，氢原子的扩散形成两个不可 动的Si-H键复合体，亚稳悬键出现在氢被激发的位置处.此模型可定量地说明光生缺陷的产 生机理?并可解释一些主要的实验现象。以上列举的较为可信的模型都说明，光致衰退效应与 a-Si材料中的氢的移动有关。a-Si材料是在较低的温度下，通过硅烷类气体等离子体增强化 学分解.在衬底上淀枳获得的。它的硅网络结构不可避免地存在硅的悬键。这些悬键如果没 有氢补偿.隙态密度将非常高，不可能用来制作电子器件。广泛采用的PECVD法沉积的a-Si 膜含有10%?15%的氢含量，一方面使硅悬键得到了较好的补偿；另一方面，这样高的氢含量 远远超过硅悬键的密度。可以肯定地说.氢在a-Si材料中占有激活能不同的多种位置.其中 一种是补偿悬键的位置.其他则处于激活能更低的位置。理想的a-Si材料应该既没有微空洞 等缺陷.也没有SiH:、（SiH:)?与SiH.<等的键合体。材料密度应该尽量地接近理想的晶体硅 的密度，硅悬挂键得到适量氢的完全补偿.使得隙态密度低，结构保持高的稳定性。寻找理 想廉价的工艺技术来实现这种理想的结构，应能从根本上消除光致衰退，这是一项非常困难的 任务。

2. 6 a-Si太阳能电池效率相对较低的原因

非晶硅太阳能电池属于半导体结型太阳能电池.可以依据结型太阳能电池的模型对其理 想的光伏性能做出估算。有1.7 eV带隙的非晶硅太阳能电池的理论效率在25%左右。实际 上，阶段制作的小面积电池初始效率约为理论效率的一半，其他品种的太阳能电池实际达 到的光伏性能与理论值相比，差距都小于非晶硅的差距。

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3. 1 基本工艺

与用金属掩膜或光刻法比较.用激光刻蚀方法制造的集成型非晶硅薄膜太阳能电池的工 艺流程简单，可获得大面积的电池组件，而且增大了太阳能电池的有效面积，适合自动化生产。 此技术的应用使集成型非晶硅薄膜太阳能电池的大规模生产向前迈了 一大步。下面以内联式 双结叠层非晶硅薄膜太阳能电池为例介绍生产非晶硅薄膜太阳能电池的主要设备和工艺流 程。其工艺流程如图7-3所示。

7 -3非晶硅渖膜太阳能电池生产的主要设备和丁_艺流程 1清洗T(’(）玻璃；2-激光刻别l(Sn():.);3 _沉积非晶硅电池（PIM激光刻划2(a-Si);

5鹏射背电极铝膜；fi激光刻划WAD:7--封装（汇流、环压、测试>

Sn02透明导电玻璃（或AZO透明导电玻璃）

规格尺寸：305 mmX915 mmX3 mm、635 mm X 1245 mmX 3 等。

要求：方块电阻：6?8n/口、8?ion/□、:10?12n/[D、12?140/口、14?16n/□等；透过 率>80%;膜牢固、平整，玻璃4个角、8个棱磨光（目的是减少玻璃应力及防止操作人员受伤）

红激光刻划8〇02膜

根据生产线预定的线距，用红激光（波长l〇64nm>将SnO:导电膜刻划成相互立的部分. 0的是将整板分为若干块.作为若干个单体电池的电极。

激光刻划时Sn():导电膜朝上（也可朝下）。

线距：单结电池一般是10mm或5mm，双结电池一般20mm。

刻线要求：绝缘电阻>2MD,线宽（光斑直径）<10(vm,线速>500mm/s。

清洗

将刻划好的Sn():导电玻璃进行动清洗.确保Sn(导电膜的洁净。

装基片

将清洗洁净的Sn():透明导电玻璃装人“沉积夹具”。

基片数量：对于美国C'hronar公3]技术，每沉积夹:具装4片305 mmX 915 mmX 3 mm 的基片，每批次（炉）产出6 X -丨=24 (片）。

对于美国EPV技术，每个沉积夹具装48片635 mmX 1245 mmX3 mm的基片，即每批次 (炉）产出1 X48 = 48(片）。

基片预热

将Sn()」导电玻璃装入夹具后推人烘炉进行预热。

a-Si沉积

基本预热后将其转移入PECVD沉枳炉，进行PIN(或PIN/PIN)沉积。

根据生产工艺要求控制：沉积炉真空度，沉积温度.各种工作气体流量，沉积压力，沉 积时间，射频电源放电功率等T.艺参数，确保非晶硅薄膜沉枳质量。

沉积P、I、N层的丁.作气体P层：硅烷（S i H,)、硼烷（B2 H,;)、甲烷（C H,)、高纯氩（A r)、 高纯氢（4):1层：硅烷（SiH,)、高纯氢（H2);N层：硅烷（S2H,)、磷烷（PH3)、高纯氩（Ar)、高 纯氢（H:)。

各种T.作气体配比有两种方法，种：P型混合气体，N型混合气体由国内特 种气体厂家配制提供；第二种：P E C V D系统在线根据工艺要求调节各种气体流量配制。

冷却

a-Si完成沉积后，将基片装载夹具取出，放人冷却室慢速降温。

绿激光刻划a-Si膜

根据生产预定的线宽及与Sn(VM割线的线间距，用绿激光（波长532 nm)将a-Si膜刻划 穿，0的是比背电极（金属铝）通过与前电极（SnC)2导电膜）相连接.实现整板由若干个单体电 池内部串联而成。

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年关将至，很多工程开始陆陆续续的有序开展，市场也在蓬勃向上，但是越接近年关月考验我们山西太阳能路灯生产厂家的硬件实力，如果你有实力多大的单子我们都可以接，因为我们年销售额达到1亿的量，在扬州路灯协会中是属于副会长企业单位，江苏省算上我们也就10来家路灯协会副会长企业。江苏斯美尔光电科技有限公司，生产的山西太阳能路灯，LED路灯等道路照明产品持久，用上个10年20年都是没什么压力的，选我们，放心！

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